买卖IC网 >> 产品目录 >> IHW20N120R IGBT 晶体管 REVERSE CONDUCT IGBT 1200V 20A datasheet RF/IF 和 RFID
型号：

IHW20N120R

库存数量：可订货
制造商：Infineon Technologies
描述：IGBT 晶体管 REVERSE CONDUCT IGBT 1200V 20A
RoHS：否
详细参数
参数
数值
产品分类 RF/IF 和 RFID >> IGBT 晶体管
描述 IGBT 晶体管 REVERSE CONDUCT IGBT 1200V 20A
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制造商 Infineon Technologies
配置 Single
集电极—发射极最大电压 VCEO 1200 V
集电极—射极饱和电压
栅极/发射极最大电压 +/- 20 V
在25 C的连续集电极电流
栅极—射极漏泄电流
功率耗散
最大工作温度 + 150 C
封装 / 箱体 TO-247-3
封装 Tube
相关资料
属性
链接
代理商 IHW20N120R
IHW20N120R2
IHW20N120R2/H20R12
IHW20N120R3
IHW20N120R5XKSA1
IHW20N135R3
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  • IHW20N120R 参考价格
  • 价格分段 单价(美元) 总价