IHW20N120R datasheet
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>> IHW20N120R IGBT 晶体管 REVERSE CONDUCT IGBT 1200V 20A datasheet RF/IF 和 RFID
型号:
IHW20N120R
库存数量:
可订货
制造商:
Infineon Technologies
描述:
IGBT 晶体管 REVERSE CONDUCT IGBT 1200V 20A
RoHS:
否
详细参数
参数
数值
产品分类
RF/IF 和 RFID >> IGBT 晶体管
描述
IGBT 晶体管 REVERSE CONDUCT IGBT 1200V 20A
IHW20N120R PDF下载
制造商
Infineon Technologies
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
集电极—射极饱和电压
栅极/发射极最大电压
+/- 20 V
在25 C的连续集电极电流
栅极—射极漏泄电流
功率耗散
最大工作温度
+ 150 C
封装 / 箱体
TO-247-3
封装
Tube
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属性
链接
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供应商
公司名
电话
深圳市金嘉旭贸易有限公司
0755-83259964
金
深圳市宝芯创电子有限公司
0755-83228629
陈先生
深圳市亿联芯电子科技有限公司
18138401919
吴经理
广州市睿科电子科技有限公司
15975398125
曾小姐/汤小姐
北京首天伟业科技有限公司
010-62565447
刘先生
深圳市特瑞斯科技有限公司
0755-82774819
李先生
北京耐芯威科技有限公司
010-62962871
刘先生
深圳市畅洲科技有限公司
15602440816
吴小姐
深圳市鹏威尔科技有限公司
13138879988
胡庆伟
IHW20N120R 参考价格
价格分段
单价(美元)
总价
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